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半導(dǎo)體特氣的純化工藝

更新時(shí)間:2024-12-03瀏覽:1039次

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  半導(dǎo)體特種氣體指在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中使用量少哪些領域,但不可或缺的特殊氣體。例如“化學(xué)氣相沉淀(CVD)” 工藝新型儲能,通過(guò)氣體混合共享,在硅片表面沉積一層固體膜產能提升,為向反應(yīng)系統(tǒng)提供所需能量方案,當(dāng)中常用的特種氣體就有高純氮基石之一、硅烷等問題;又如空間廣闊,高純四氟化碳合作關系、高純六氟乙烷等氟基氣體,是刻蝕工藝中所采用的主要介質(zhì)研學體驗;四氟化碳用于等離子刻蝕氣體結構不合理。
 
    半導(dǎo)體特氣概述  
 
  目前,應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的特種氣體有110余種深刻內涵,常用的有20-30種競爭力,在原材料需求占比中高達(dá)14%,僅次于大硅片逐步改善。
 
  特種氣體被稱(chēng)為半導(dǎo)體材料的“糧食”特點,芯片制造中的硅片制備、硅片制造、硅片測(cè)試/揀選意見征詢、裝配與封測(cè)組成部分、最終測(cè)試五個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié),彼此獨(dú)立集聚,但都缺不了特種氣體的參與高效化。在任意環(huán)節(jié)中,特種氣體的污染都會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的缺陷新的動力。
 
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圖1     半導(dǎo)體特氣主要污染物
 
    半導(dǎo)體特氣純化  
 
  事實(shí)上完成的事情,特種氣體在純度、組成為產業發展、有害雜質(zhì)最高含量研究成果、產(chǎn)品包裝貯存等方面均有極其嚴(yán)格的要求,屬于高技術(shù)穩定、高附加值產(chǎn)品機製性梗阻。無(wú)論在特氣制備、包裝運(yùn)輸還是在IC制程使用中增產,都要始終保持其潔凈度脫穎而出。國(guó)標(biāo)文件中對(duì)出廠的半導(dǎo)體氣體的顆粒純凈度要求是99.99%,而實(shí)際上IC制程制程工藝中對(duì)氣體純度的要求遠(yuǎn)高于這個(gè)數(shù)字的方法,最先進(jìn)的工藝環(huán)節(jié)已經(jīng)要求到99.999999%積極影響。
 
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圖2.各類(lèi)半導(dǎo)體特氣主要特點(diǎn)
 
  因此,保持半導(dǎo)體特氣的純凈生產創效,是半導(dǎo)體上下游廠家都非常關(guān)注的課題進一步提升。特氣供應(yīng)商在制備特氣裝瓶前,下游企業(yè)在氣體接收和儲(chǔ)存時(shí)的過(guò)程中緊密協作,以及半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序中特氣應(yīng)用點(diǎn)提供有力支撐,這三個(gè)關(guān)鍵位置的純化工藝需要嚴(yán)格按照工藝要求把控。以高純度硅烷的制備工藝舉例,罐裝前要經(jīng)過(guò)多次精餾及過(guò)濾越來越重要,純度高達(dá)99.99%以上,才能達(dá)到客戶(hù)驗(yàn)收要求優化上下。
 
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圖3.高純度硅烷的制備工藝
 
  半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序中特氣應(yīng)用點(diǎn)是最后也是最重要的環(huán)節(jié)改革創新,投入到應(yīng)用點(diǎn)的特氣純凈度,直接影響到芯片的完整性發揮重要作用。事實(shí)上自行開發,該環(huán)節(jié)的過(guò)濾工藝目標(biāo)是達(dá)到純度基線,并在預(yù)防性維護(hù)周期中得以保持取得顯著成效。
 
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圖4.純化工藝與特氣污染物級(jí)別對(duì)比圖
 
  由于半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)設(shè)備更小處理方法,單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量不斷增加數據顯示,對(duì)污染物更加敏感。匹配的純化工藝也在向更高效服務、更精準(zhǔn)的方向發(fā)展實現。
 
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圖5.半導(dǎo)體特氣應(yīng)用點(diǎn)純化工藝示意圖
 
    大立特氣過(guò)濾解決方案  
 
  大立深耕過(guò)濾行業(yè)25年,豐富的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)啟用,讓我們擁有更優(yōu)異的半導(dǎo)體特氣過(guò)濾解決方案。
 
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  #DL251金屬過(guò)濾器,內(nèi)置高性能PTFE濾膜過(guò)濾精度可達(dá)3nm活動上。電子級(jí)金屬外殼內(nèi)表面采用電解拋光,Ra小于0.1μm深入各系統,內(nèi)壁表面平滑潔凈大型,耐腐蝕,防泄露建設項目,結(jié)構(gòu)緊湊動手能力,更換操作簡(jiǎn)易,在過(guò)濾有毒氣體及腐蝕性氣體工藝中表現(xiàn)優(yōu)異傳遞。
 
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  #DL261過(guò)濾器外殼及支撐材料均采用高純PP充分,通過(guò)熱熔技術(shù)焊接,不使用任何膠黏劑的發生,確保低析出融合,同時(shí)也提供了更好的耐壓性能,PTFE絕對(duì)濾膜保證了超高的攔截效率相結合,精度可達(dá)3nm提升,實(shí)現(xiàn)管道氣體的精密過(guò)濾。同時(shí)骨架采用低析出的PP材質(zhì)保證了氣體過(guò)濾的安全性相關性。
 
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